Noua tehnologie promite o crestere a vitezelor de transfer al datelor de cinci ori fata de produsele actuale NAND.
Intel Corp. si Micron Technology au dezvaluit o noua tehnologie flash memory NAND high-speed care ofera viteze de transfer a datelor de cinci ori mai mari decat tehnologia NAND conventionala.
Noua tehnologie a fost dezvoltata de IM Flash Technology, o societate de investitii creata Micron si Intel.
Numita high-speed NAND, tehnologia 8GB single-level cell memory este in prezent testata de OEM-uri si producatori, potrivit Micron. Compania estimeaza ca va incepe productia in masa in aceasta vara.
Tehnologia ar permite rate de download accelerate si un acces mai rapid la informatii de pe sistemele hardware enterprise, aplicatii, dispozitive video si mobile.
Potrivit Micron, noua tehnologie SLC high-speed NAND poate atinge 200MB/sec la citirea datelor si 100MB/sec la scrierea datelor utilizand standardul 2.0 al Open NAND Flash Interface.
Abonați-vă la:
Postare comentarii (Atom)
Niciun comentariu:
Trimiteți un comentariu